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GaN FET在人形機器人中的應(yīng)用
- 引言人形機器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時保持此復雜系統(tǒng)平穩(wěn)運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。人形機器人內(nèi)空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實現(xiàn)與人類相似的運動范圍，通常在整個機器人中部署大約 40 個伺服電機 (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機分布在機器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數(shù)字不包括手部的電機。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個微型電機。這些電機的電源
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格力家用空調(diào)搭載SiC芯片突破100萬臺
- 4月22日下午，格力電器召開2025年第一次臨時股東大會，相比過往歷次股東大會都被安排在格力地產(chǎn)總部辦公樓，本次股東大會首次被安排在格力電器珠海碳化硅芯片工廠舉行。據(jù)悉，該工廠自2024年投產(chǎn)以來，其碳化硅功率芯片在家用空調(diào)中的裝機量已經(jīng)突破100萬臺。SiC材料具有高耐壓、高頻率、高效率等優(yōu)勢，能夠顯著提升空調(diào)的能效。搭載SiC芯片后，空調(diào)的電能轉(zhuǎn)換效率得到優(yōu)化，制冷制熱效果增強，實現(xiàn)能耗降低，同時可以提升產(chǎn)品性能、降低能耗，增強格力空調(diào)的市場競爭力。格力該工廠是全球第二座、亞洲首座全自動化6英寸碳化硅
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清純半導體和微碧半導體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品
- 近日，清純半導體和VBsemi（微碧半導體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品平臺，標志著功率半導體技術(shù)在快充效率、高功率密度應(yīng)用等領(lǐng)域取得了重大突破。01清純半導體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺4月21日，清純半導體官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺，該平臺首款主驅(qū)芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導通電阻低至8mΩ，比導通電阻系數(shù)Rsp達到2.1 mΩ·cm2，處于國際領(lǐng)先水平。source：清純半導體（圖為清純半導體1、2、3代產(chǎn)品比電阻Rs
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SiC為數(shù)據(jù)中心的冷卻風扇提供高密度電源
- 碳化硅 （SiC） 正在接管電動汽車中的三相牽引逆變器，將電池中的直流電轉(zhuǎn)換為用于控制電機的交流電。但是，由于 SiC 能夠處理更高的電壓、更好的散熱和更快的開關(guān)頻率，因此也適用于更緊湊的電動機中的三相逆變器。其中包括數(shù)據(jù)中心的電子換向 （EC） 冷卻風扇，這些風扇消耗了更多的電力來運行 AI 訓練和推理，并在此過程中產(chǎn)生了更多的熱量。onsemi 推出了第一代基于 SiC 的智能功率模塊 （IPM），與 IGBT 相比，為這些冷卻風扇帶來了更高的功率密度和效率。1,200 V 模塊基
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SiC MOSFET如何提高AI數(shù)據(jù)中心的電源轉(zhuǎn)換能效
- 如今所有東西都存儲在云端，但云究竟在哪里？答案是數(shù)據(jù)中心。我們對圖片、視頻和其他內(nèi)容的無盡需求，正推動著數(shù)據(jù)中心行業(yè)蓬勃發(fā)展。國際能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行業(yè)的迅猛發(fā)展正導致數(shù)據(jù)中心電力需求激增。預(yù)計在 2022 年到 2025 年的三年間，數(shù)據(jù)中心的耗電量將翻一番以上。 這不僅增加了運營成本，還給早已不堪重負的老舊電力基礎(chǔ)設(shè)施帶來了巨大的壓力，亟需大規(guī)模的投資升級。隨著數(shù)據(jù)中心耗電量急劇增加，行業(yè)更迫切地需要能夠高效轉(zhuǎn)換電力的功率半導體。這種需求的增長一方面是為了降低運營成本
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是什么讓SiC開始流行？
- 碳化硅是一種眾所周知的堅硬和復雜的材料。用于制造 SiC 功率半導體的晶圓生產(chǎn)利用制造工藝、規(guī)格和設(shè)備的密集工程來實現(xiàn)商業(yè)質(zhì)量和成本效益。必要性與發(fā)明寬禁帶半導體正在改變電力電子領(lǐng)域的游戲規(guī)則，使系統(tǒng)級效率超越硅器件的實際限制，并帶來額外的技術(shù)特定優(yōu)勢。在碳化硅 （SiC） 的情況下，導熱性、耐溫能力和擊穿電壓與通道厚度的關(guān)系優(yōu)于硅，從而簡化了系統(tǒng)設(shè)計并確保了更高的可靠性。由于它們的簡單性，SiC 的孕育使二極管領(lǐng)先于 MOSFET 進入市場。現(xiàn)在，隨著技術(shù)進步收緊工藝控制、提高良率并
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SiC 市場的下一個爆點：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解
- 安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢，SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、獨特功能和設(shè)計支持。本文為第一篇，將重點介紹Cascode結(jié)構(gòu)。Cascode簡介碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。為了實現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵
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Nexperia推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200V SiC MOSFET
- Nexperia正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝?(SMD)?頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術(shù)在封裝環(huán)節(jié)的便捷優(yōu)勢以及通孔技術(shù)的高效散熱能力，確保優(yōu)異的散熱效果。此次新品發(fā)布精準滿足了眾多高功率（工業(yè)）應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ψ至⑹絊iC MOSFET不斷增長的需求，該系列器件借助頂部散熱技術(shù)的優(yōu)勢，得以實現(xiàn)卓越的熱性
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Nexperia擴展GaN FET產(chǎn)品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應(yīng)用中的功率需求
- Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場，包括消費電子、工業(yè)、服務(wù)器/計算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場景。自2023年推出E-mode GaN FET以來，Nexperia一直是業(yè)內(nèi)少有、同時提供級聯(lián)型或D-mode和E-mode器件的供應(yīng)商，為設(shè)計人員在應(yīng)對設(shè)計過程中的不同挑戰(zhàn)提供了更多便捷性。Nexperia
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第17講：SiC MOSFET的靜態(tài)特性
- 商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態(tài)特性。由于MOSFET是單極性器件，沒有內(nèi)建電勢，所以在低電流區(qū)域，SiC MOSFET的通態(tài)壓降明顯低于Si IGBT的通態(tài)壓降；在接近額定電流時，SiC MOSFET的通態(tài)壓降幾乎與Si IGBT相同。對于經(jīng)常以低于額定電流工作的應(yīng)用，使用SiC
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第16講：SiC SBD的特性
- SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點，可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應(yīng)用，本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動態(tài)特性。SBD（肖特基勢壘二極管）是一種利用金屬和半導體接觸，在接觸處形成勢壘，具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一般在200V以下，而耐壓在600V以上的SiC SBD產(chǎn)品已廣泛產(chǎn)品化。SiC SBD的某些產(chǎn)品具有3300V的耐壓。半導體器件的擊穿電壓與半導體漂移層的厚度成正比，因此為了提高耐壓，必須增加器件的厚度。而
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東芝推出應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備的具備增強安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動光電耦合器
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當下橋臂[2]關(guān)閉時，米勒電流[1]可能會產(chǎn)生柵極電壓，進而導致上橋臂和下橋臂[3]出現(xiàn)短路等故障。常見的保護措施有，在柵極關(guān)閉時，對柵極施加負電壓。對于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si
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速看！SiC JFET并聯(lián)設(shè)計白皮書完整版
- 隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！http://www.104case.com/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來了！http://www.104case.com/article/202503/467644.htm)中我們重點介紹了SiC JFET并聯(lián)設(shè)計的挑戰(zhàn)，本文將介紹演示和測試結(jié)果。演
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碳化硅與硅：為什么 SiC 是電力電子的未來
- 在這里，我們比較了碳化硅 （SiC） 與硅以及在汽車和可再生能源等行業(yè)的電力電子中的應(yīng)用。我們將探討硅和碳化硅之間的顯著差異，并了解 SiC 為何以及如何塑造電力電子的未來。硅 （Si） 到碳化硅 （SiC）：改變電力電子的未來電力電子技術(shù)在過去幾年中取得了前所未有的進步。硅 （Si） 等傳統(tǒng)半導體材料一直主導著電力電子和可再生能源行業(yè)。然而，碳化硅 （SiC） 的出現(xiàn)徹底改變了這一領(lǐng)域，為卓越的性能和效率鋪平了道路。無與倫比的效率、熱性能和高壓能力使碳化硅成為用于電子和半導體器件的下一代半導體材料。硅與
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